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图2-51是负载实验控制电路。这种电路的外接负载最大可达10A，广泛用于实验电源、功率放大器，LED和继电器以及螺线管等驱动器的承载能力实验。与一般的电阻负载不同，它通过在1·2一50V电压范围调整负载电流，使实验负......
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在上述双电源光电耦合上管驱动电路方案中，使用光耦的输出直接驱动MOS管，这样会使输出波形严重变形，尤其是波形的下降沿比较缓慢，这主要是由MOS管的G极和s极之间的电容引起的。输出波形为高电平时，给G和s之间的电容充电，使......
自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，下图为N沟道结型场效应管自偏电路。 栅源电压为UGS=RID 图 自偏压MOS管放大电路 ......
场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。 MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Trans......
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是......
这是考毕兹晶体振荡器电路。它是适合用于低频率的晶体振荡器电路。这个电路使用的2N3823 JFET，具有出色的稳定性，因为温度变化不会2N3823 JFET电路的负载 。下面是电路： ......
IC电平转换 动态MOS随机存取记忆体电平移位器使用带有两个晶体管助推器的SN7406 IC，将 TTL电平转换为MOS的电平。数据输入线可以不用增压器，因为它们用以驱动典型阵列低电容性负载。 ......
MOS管结构图 ......
dolphin 2013-01-14
dolphin 2012-10-31
dolphin 2012-10-31
dolphin 2012-10-31
