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igbt保护电路短路保护电路的设计:由对图1所示电路的分析,可以得到igbt短路保护电路的原理更详细请查看:新型IGBT短路保护电路的设计 ......
由综合放大电路板(ZHFD)产生的输出信号被送入SG3526,产生PWM脉冲,此信号与反馈信号进行逻辑运算后送入HL403B厚膜驱动器,当IGBT产生过流、短路故障时,借助于IGBT内部的短路、欠饱和、软关断、降栅压保护......
IGBT的保护措施,主要包括过压保护和过流保护两类。使用中,对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压,可以采用适当的缓冲回路抑制它,使器件免于损坏。 ......
在IGBT的栅极电路中,主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。 ......
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示,与GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制参数是栅源电压,而不是基极电流。 ......
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下,增加一个P+层发射极而行程pn,如图1-31所示,就构成IGBT。......
逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时,组成的充电电路,比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。 ......
J S 为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击。IGBT变频电源电路:......
V1—V4组成桥式逆变器,两端并联RCD吸收支路,L为限流电感,Co为储能电容,Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流,保护氙灯。此处将限流电感L放在变压器原边。这除了能实现功率管的零电压开通外,例如在V1,V......
下图是利用IGBT过流集电极电压检测和电流传感器检测的综合保护电路,电路工作原理是:负载短路(或IGBT因其它故障过流)时,V1的Vce增大,V3门极驱动电流经R2,R3分压器使V3导通,IGBT栅极电压由VD3所限制而......