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氮化镓(GaN)是接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,......