首页->FIR;级联
级联型结构是最早发明的一种多电平拓扑结构，早在1975 年就申请了专利，但当时没引起足够的重视。级联型五电平逆变器电路:......
利用赛格尼公司511晶体管阵列的一半提供大约10的电压增益。这个增益在大于2MHz的带宽上，并且带有12V p-p电压摆幅。设计过程已给出。电路提供在输入和输出之间的良好隔离。--“赛格尼公司模拟数据手册“，赛格尼公司，......
2N5485场效应管提供了一个很低的输入负载，并且带有下降到几乎为零的反馈，放大器的带宽只受限于负载电阻和电容。--“场效应管数据手册，“美国国家半导体公司，美国加州圣克拉拉市，1977年，P6-26-6-36。......
电路提高100mV输入信号电平到1V为驱动电源放大器，并使用级联安排以提高音调控制网络的S/N比率。显示的值给予最大的音量放大,或者在带有R19的50赫兹的频率上切断。......
74HC165是一款高速CMOS器件，74HC165遵循JEDEC标准no.7A。74HC165引脚兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。 74HC165是8位并行读取或串行输入移位寄存器，可在末级得到互斥的......
级联放大器组件用于扩展带宽和增益。该电路使用两个HAC2539器件，功率为20 MHz时，增益可达到60分贝。......
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态......
......
该200MHz的JFET级联电路具有很多特点，包括低交叉调制，信号处理能力大，无中和，和前通过偏置上JFET级联控制的AGO。这个电路唯一的特殊要求就是，上层单位的BSS必须比下层单位的要大。......
MMIC器件可以通过级联的方式获得比单个器件使用时更大的增益，虽然这必须遵守一些规则。例如，我们必须意识到，从直流附近到微波区域的频率范围内，MIC拥有不同大小的增益。对于所有的级联放大器，我们必须防止不同级之间的反......
dolphin 2012-07-26
dolphin 2012-07-23
dolphin 2012-07-20
dolphin 2012-07-20
dolphin 2012-07-20
