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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFE......
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正......
IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的 高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS,额定电流密度10......
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单......
IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。本文介绍了绝缘栅双极晶体管(......
电路功能与优势 图1所示电路是一款高速FET输入、增益为5的仪表放大器,具有35 MHz宽带宽和10 MHz时55 dB的出色交流共模抑制(CMR)性能。该电路适用于需要高输入阻抗、快速仪表放大器的应用,包括RF、......
IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。本文介绍了绝缘栅双极晶体管(IG......
四组IGBT驱动器EM5202-2D电路图纸3.四组控制信号送入电流限制器,当直流侧(DC BUS)电流过大,IDC输出变大,电流限制器动作LED亮,此时控制信号无法通过,IGBT暂时关闭,待输出电流下降后,IGBT又正......
如图所示为具有高输入阻抗的FET缓冲放大器。该电路利用OPA627内部输入级为FET高阻特性,将两个OPA627构成射随器作为缓冲放大器用于电路输入端,因此具有极高的输入阻抗,电路增益为100。 ......
FET输入高保真运算放大电路OPA604简化原理图:调零接线图: ......