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2N4391可提供30ohm的低的接通电阻和关闭状态时的高断开阻抗（小于0.2pF）。如果布局合理，再使用一个完美的开关，就可实现上面所说的功能了。......
换向器电路可为PN4091模拟开关的开启和关闭驱动提供低阻抗电门驱动。由于可以为PN4091的关闭驱动提供低交流阻抗和为开启驱动提供高交流阻抗，该电路所提供的驱动几乎达到了理想的用于高频信号的电门驱动条件。......
传统上，高频振荡器使用变容二极管进行频率调制。然而，在许多电池供电系统中，变容二极管通常需要一个大的电压变化来实现合理的电容改变问题。通过使用基础充电电容调制，这样的问题是可以克服的。 ......
当导体在磁场中运动时，会引起导体上闭合的感生电流ie，称为涡流。涡流大小与导体电阻率ρ、磁导率μ以及产生交变磁场的线圈与被测体之间距离x，线圈激励电流的频率f有关。涡流穿透深度h可表示 ρ―导体电阻率（Ω・cm......
此设计用于CB接收，该晶体控制转换器采用一个40820双门MOSFET。......
本机采用自激振荡方式，晶体管BG1-4,BG5-8和T1,T2,D1和R1组成前级高频自激振荡器。T1次级输出高频高压脉冲经D1,D2,C1,C2组成的倍压整流电路转变为直流高压，输入到后级。后级采用可控硅输出电路，......
三极管又称"晶体三极管"或"晶体管".在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或N区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、......
电感是指线圈在磁场中活动时，所能感应到的电流的强度，单位是“亨利”（H）。也指利用此性质制成的元件。 电容补偿原理是：电容补偿时电容和负载是并联连接的，电容就和电库一样，当负载增大时，由于电源存在内阻，电源输出电......
一个MECL 10K的晶体振荡器和一个MECL III倍频器可组合成一个高速振荡器，具体如图所示。MC10101的一部分作为一个100MHz的晶体振荡器和晶体管在反馈回路中串联。液晶振荡电路可调谐晶体管100MHz的谐波......
半导体三极管又称"晶体三极管"或"晶体管".在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或N区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基......
dolphin 2012-07-24
dolphin 2012-07-23
dolphin 2012-07-23
dolphin 2012-07-23
