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霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达......
霍尔传感器电路原理:以磁场平衡式的霍尔电流传感器为例,在软芯铁芯上绕有一组副线圈,当电流通过时,它产生的磁场与主回路被测电流产生的磁场方向相反,设定两个回路的匝数相等时,所产生的磁场相互抵消,呈现零磁通状态,这样......
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855―1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半......
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