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图是氯化埋湿敏电阻器的结构图。在聚苯乙烯圆筒上绕制两根相互平行的钯引线作电极,然后在它上面涂敷一层经过适当碱化处理的聚乙烯醋酸盐和氯化锤水溶液的混合体,干噪后形成感湿薄膜。由于感湿膜可吸附或释放水分子而改变其电阻值,......
高分子电容式湿敏元件的结构如图所示。这种湿敏元件基本上是一个电容器,在高分子薄膜上的电极是一层很薄的金属微孔蒸发膜,水分子可通过两端的电极被高分子薄膜吸附或释放,这样便导致高分子薄膜介电常数发生相应的变化。因为介电系数......
磺酸锂湿敏元件的结构如图所示。其制作过程如下:在绝缘基片上浸渍磺酸锂形成感湿基片,然后在感湿基片的两面制成叉指式碳电极,然后由镀金接线片弓出。由于感湿基体可吸附或释放水分子而改变其电阻值,因此,可通过检测电极间的电阻值......
气体放电管的内部结构如图所示。它主要由电极及绝缘瓷管所组成,在电极的有效电子檄活化合物发射表面上涂有激活化合物(电子粉),电极间的距离一般小于lmm以提高屯子的发射能力。为了保证气体放电管能快速地将浪涌电压限制在低电位......
瞬态电压抑制二极管通常采用二极管式的轴向引线封装,如图所示。它的最基本核心单元为芯片,芯片是由半导体硅材料扩散而制成的,芯片有单极型和双极型两种结构。单极型瞬态二极管有一个PN结;双极型瞬态二极管有两个胁结,它们是利用......
半导体应变片主要是利用硅半导体材料的压阻效应而制成的。如果在半导体晶体上施加作用力,晶体除产生应变外,其电阻率会发生变化。这种由外力引起半导体材料电阻率变化的现象称为半导体的压阻效应。 半导体应变片是直接用单晶锗或......
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无触点电位器 一般电位器在使用中由于触点的原因常产生噪声信号,而且寿命不长。使用磁敏元件制作的无触点电位器则可克服上述缺点。图是无触点电位器的结构示意图。其中磁敏元件可采用磁敏二极管或霍尔线性集成传感器。将磁敏元件放......
图给出了一种用溅射工艺制作的锑化钢霍尔元件的结构,它由衬底、十字形霍尔元件、电极引线及磁性体顶端等构成。十宇形霍尔元件的四个端部的引线中,有一对是电流输入端,另一对为霍尔电压输出端。磁性体顶端是为了集中磁力线和提高元......