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参考设计

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基于PS501芯片的内部结构电路图

dolphin 2017-04-13

处理器内核/存储器 PS501采用了PIC18 8位RISC单片机内核，其存储器资源包括16KB 闪存，以及256Byte EEPROM,分别用于存储程序/数据和参数。PS501的内部结构图如下图所示。 ......

基于 PS501 芯片 内部 结构 电路

随机存取存储器(RAM)一般结构和读写过程

dolphin 2017-04-13

一、RAM的一般结构和读写过程　1.RAM的一般结构它由三部分电路组成：　　1)行、列地址译码器：它是一个二进制译码器，将地址码翻译成行列对应的具体地址，然后去选通该地址的存储单元，对该单元中的信息进行读出操作或进行写入......

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只读存储器的一般结构

dolphin 2017-04-13

一、只读存储器的一般结构是片选、读/写或编程控制，见表。 　　解：思路是把四位二进制码作为EPROM2716的低四位地址输入，而把四位格雷码作为对应地址中的内容写入到EPROM 中去即可。见表所示。......

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可控硅整流器的结构特性

dolphin 2017-04-13

从事交直流调速的研究人员介绍可控硅整流器，是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。 晶闸管(Thyrist......

可控硅 整流器 结构 特性 从事

变色发光二极管的结构及应用

dolphin 2017-04-13

普通发光二极管内部只封装了一个管芯，管芯材料通常为磷化镓或磷砷化镓，它只能发出绿色或红色单一的色光。变色发光二极管则封装了上述绿光和红光材料的两个管芯。图1(a)所示的变色发光二极管有三只引脚，其中两个管芯的负极连在一起......

应用 结构 电压 管芯 发光 红光

可控硅元件的结构

dolphin 2017-04-13

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SC......

结构 可控 元件 功率 所以 电流

三极管的结构与分类

dolphin 2017-04-13

晶体三极管 晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，简记为BJT（英文Bipo1ar Junction Transist......

分类 结构 三极 发射 晶体 称为

AD8202的两级系统结构应用电路图

dolphin 2017-04-13

　通过将增益分为两级，来自前置放大器的满度R-R 信号可在引脚3 被滤波，并且通过输出缓冲放大器能够将滤波后的半满度信号恢复到满度信号。从A2 的反向输入端看进去的源电阻大约为100 kΩ，以将A2 的输入偏......

AD8202 两级 系统 结构 应用 电

N沟道MOS管结构工作原理

dolphin 2017-04-13

N沟道MOS管的结构及工作原理 N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结......

沟道 MOS 结构 工作 原理 M

PLD结构及电路表示法

dolphin 2017-04-13

1． 基本结构 PLD的基本结构框图如图1-1所示。它主要由输入缓冲、与阵列、或阵列和输出结构等四部分组成。其中核心部分是可以实现与—或逻辑的与阵列和或阵列，由与门构成的与阵列用来产生乘积项，由或门构成的或......

PLD 结构 电路 示法 基本 P
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