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三极管分锗管和硅管两种，而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，(其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量......
本电路用于计算机RS-232串行接口与电流环电路之间的接口，能把传输的电压信号转变为20mA的电流信号，最大传输速率为1200比特。光耦合器件IC3，T1组成接收端接口电路，T2，T3构成发送端接口电路。加入+12V时......
压敏电阻的特性 反应时间快速；低漏电流；优越的电压比；宽广之电压与能量比；低备用电力且无后续电流；高效能之突波电流处理能力；抑制电压特性之稳定执行能力。 压敏电阻在休息时，相对受保护的电子元件而言，具有很高的阻抗......
晶体二极管开关电路在数字系统和自动化系统里应用很广泛，在晶体二极管开关特性实验中，其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后，研究晶体二极管开关特性主要是研究其开关状态转换过程所需时间的长短。Microsemi......
稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电......
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所......
达林顿晶体管DT(Dar1ington Transistor)亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B......
可控硅元件一、概述一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件......
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SC......
可控硅元件—可控硅整流电路 一、单相半波可控整流电路1、工作原理电路和波形如图1所示，设u2=U2sinω。图1 单相半波可控整流正半周：0＜t＜t1,ug=0,T正向阻断，id=0,uT=u2,......
dolphin 2017-04-13
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