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在IGBT的栅极电路中，主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。 ......
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压，而不是基极电流。 ......
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。......
VMOS管桥式电路如图1-29所示，它由四只VMOS管组成，是一种很有用的电路。在这种电路中，可方便地采用脉冲变压器驱动方式。 ......
VMOS管共漏极组态的驱动要比共源极组态的驱动困难些，但还是比双极晶体管共集电极组态的驱动容易，当需要负载一段接地时，或者需要有源推-拉输出电路时，场采用共漏极电路。 ......
在VMOS管所有的工作方式中，共源极组态的驱动最简单。因为VMOS管是电压控制器件，输入阻抗极高，可以由多重逻辑电路直接驱动。 ......
从BMOS管的等效电路（图1-19）可以看出，VMOS管的输入端是电容性的，其动态输入阻抗与静态输入阻抗有很大的差别，直流输入阻抗极高，但交流输入阻抗随频率而变化，由于这个原因，VMOS管的上升时间和下降时间与驱动电路的......
VMOS管电路也分为共源极、共栅极和共漏极三种组态。 ......
VMOS管的技术指示，通常用极限参数、静态参数和动态参数来表示。 ......
VMOS管是多数载流子器件，其结构及工作原理均不同与双极晶体管（即普通晶体管）。双极晶体管本质上是电流控制器件，面VMOS管是电压控制器件。 ......
dolphin 2012-07-30
