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VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左......
带磁心线圈的电感量,由于和磁心的种类及形状有关,计算复杂且计算结果和实际相差较大。因此通常使用一种适用于各种磁性材料的简便计算方法。 根据理论推导,当线圈的尺寸及所选用的磁心确定后,则其相应的参数就可以认为是一个确定......
变压器磁芯的确定方法 ......
一、基础知识 电阻器是电路元件中应用最广泛的一种,在电子设备中约占元件总数的 30%以上,其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压,其次还作为分流器分压器和负载使用。固定电阻器......
达林顿晶体管DT(Dar1ington Transistor)亦称复合晶体管。它采用复合过接方式,将两只或更多只晶体管的集电极连在一起,而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极,依次级连而成,最后引出E、B、......
装配式热电偶_装配式热电阻型号命名方法: 防爆热电偶型号命名方法: ......
s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依......
半导体分立器件的命名方法 晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里主要讲下欧系和日系的命名规则,不详述美系和我国的命名规则。 1)国际电子联合会半导体器件命名法(欧系用的多) 表10国际电子联合会半导体器件型号命名......
可控硅又称晶闸管,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅分为单向、双向两种类型,具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,是比较常用的半导体器件之一,被广泛用于可控整流、逆变、变频、调压、无触......
可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。 1. 可控硅的特性。 ......