首页->氮化镓(GaN)
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......
碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......
实现更加高效的电力转换是应对当前增长的人口和能源需求的一个关键技术目标。 能够有效推动这一目标达成的重要创新就是在电源应用中使用氮化镓 (GaN)。GaN是一种已经成熟的半导体材料，广泛应用于LED照明......
amy2025 2025-05-20
amy2025 2025-05-20
angelazhang 2016-02-18