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VMOS管电路也分为共源极、共栅极和共漏极三种组态。 1.共源极组态 VMOS管共源极组态的基本形式和等效电路,如图1-20所示。 在低频,可以认为输入端不产生电流,所以放大器,电流增益极高,近于无穷大。而......
共栅极组态 这种组态的基本形式与小信号等效电路,如图所示。当要求源漏极间有良好的隔离时,使用这种电路。但应注意,在源极输人端与漏极输出端通过一小的极间电容Cd6来耦合,该电容一般小于50pF。 ......
故障电流的降低通过降低或限制高额故障电流,特别足在短路和低阻抗的对地短路情况下,功率模块可以获得更好的保护。 如图l中所示的那样,在短路Ⅱ情形下,高dvCE/dt引起栅极――发射极电压上升,进而产生一个动态的短路过......
三相整流桥分为三相全波整流桥(全桥)和三相半波整流桥(半桥)两种。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。对输出电压要求高的整流电路需要装电容器,对输出电压要求不高的整流电路的电容器可装可不装。 整流器(英文:re......
电容器充电有两条途径:第一条是通过电阻R;第二条是从阴极通过控制栅极。由于栅极和阴极间的二级管作用,第二条路径的阻抗远小于R,所以电容器充电所需的绝分电流将流经栅极。 大部分阴极射线管工作的问题之一,就是管子接通......
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多......
带有栅极关断钳位电路的驱动电路......
基本栅极陷流测试振荡器电路图 ......
覆盖1.8-150MHz的栅极陷流测试振荡器电路图 ......