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无源无损缓冲电路的拓扑结构分为两类:1.最小电压应力单元(MVS),如图(a), (b)所示2.非最小电压应力单元(Non-MVS),如图(c),(d),(e),(f)所示. ......
常规的RCVD缓冲电路采用电阻来放电,随着开关频率的提高,消耗在缓冲器上的能量也随之增加,大大降低了整个逆变系统的效率.而在IGBT集电极和发射极间直接并联一个无损耗缓冲电容可以有效地降低开关器件的关断损耗,将常规缓冲器......
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