首页->快速充电器(镉镍电池)电路图
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VP-2500 41256 LM386 基本特点： ①VP一2500／2505／2508语言合成芯片是采用CMOS工艺制造，连续可变斜率增量调制技术(CVSD)的大规模集成电路。②芯片可用外部动态存储器DRAM进行录音......
KS5917 41256 LM386 CD4013 基本特点：①语音合成芯片KS5917可以外接l～4片256k位的DRAM，也可以接64k位的DRAM。②记录的语音最多可以分为l6段。③语音采样有4种波特率可供选择。......
YYH16 41256 LM386 74LS00 基本特点： ①外接256k位的DRAM，录音时间为8～32s可调。②可以作电话留言录音机电路，YYI-116有振铃输入端和外接录音机启动控制端。③使用 5V电源，静态电......
基本特点 ①VTV001B是超大规模集成电路，它采用40脚软封装双面印制板结构，其外形及引脚排列如图所示。②工作电源为两种电源：直流6～9V和4.5～5.6V。待机电流为8µA(Vcc=6V)，数据保持电流......
HY-20A 基本特点：①HY一20A是单片COMS大规模集成电路，内含EEPROM存储器，录放时间为20s。②可灵活分段录、放，最高可分l60段。③内含时钟振荡器。④单一正5v电源供电，工作电流25mA，静态电流小于......
基本特点： ①内部含EEPROM，可以随时录音，随时放音，断电后语音长期保留。语音记录时间为16s，还可以多片串联以增加录放时间。②可以分段录音放音，最多可分l60段，每段最少时间为0.1s。③采用28脚双列直插封装。......
SRPP电子管前级与并列式前级频率响应对比图......
dolphin 2009-07-06
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