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MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压,在出现输入过压时,控制外部n沟道MOSFET开关,隔离输出负载。MAX6495&nd......
两者都是开关元件,IGBT驱动功率小而饱和压降低。 前者可高频率开关 后者就差劲。 前者价格高。 IGBT的栅极G和发射极E发射极E IGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFE......
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化......
场效应管放大电路原理及应用一、偏置电路有自生偏置和混合偏置两种方法,表1电路I利用漏极电ID通过Rs所产生的IdRs作为生偏置电压,即Ugs=-IdRso可以稳定工作点。|IdRs|越大,稳定性能越好,但过负的偏置电压,......
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采用两只N沟道和两只P沟道场效应管的全桥驱动电路工作时,在驱动控制IC的控制下,使V4、V1同时导通,V2、V3同时导通,且V4、V1导通时,V2、V3截止,也就是说,V4、V1与V2、V3是交替导通的,使变压器一次侧形......
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥......
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