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参考设计

首页->场效应管(MOSFET)检测方法与经验

7种MOS管栅极驱动电路

fanxiaoxi 2024-06-28

01 直接驱动首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度......

MOSFET MOS管 栅极 驱动电路 pnp

MOSFET栅极电路的常见作用

fanxiaoxi 2024-06-28

概述MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为......

二极管 pcb MOSFET 栅极 驱动电路

MOSFET栅极驱动电路的应用

fanxiaoxi 2024-06-25

1、驱动MOSFET1.1、栅极驱动与基极驱动常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。图 1.1 所示为双极晶体管。要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之......

MOSFET 晶体管 栅极 驱动电路 栅极电荷

推挽电路两种模型详解：上P下N、上N下P

fanxiaoxi 2024-06-25

推挽电路（push-pull）就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有......

原理图 MOSFET 晶体管 BJT 推挽电路

开关电源MOSFET关断缓冲电路

fanxiaoxi 2024-06-25

RC缓冲电路关键：主电路拓扑结构。如下电路所示：RC组成的正激变换器的缓冲电路 Q关断，集电极电压开始上升到2Vdc，电容C限制集电极电压的上升速度，并减小上升电压和下降电流的重叠，减低开关管Q的损耗。下次开关......

MOSFET 开关电源 变换器 开关管 缓冲电路

MOS管自举电路原理详解

fanxiaoxi 2024-06-25

自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。1MOS管自举电路原理在EDA365电子论坛上看过这个简单的例子：有......

二极管 升压电路 场效应管 MOS管 自举电路

比亚迪驱动复用升压充电专利解析

fanxiaoxi 2024-06-25

之前了解了BOOST升压电路的原理，再来理解升压充电就容易多了。我们观察下，发现升压电路的实现，无非就是输入端的电源Vin，储存电流的电感L，开关器件（可以是MOSFET，也可以是IGBT等），二极管D，储存电荷的电容C......

MOSFET 升压电路 IGBT Boost 开关管

模电学习：三极管推挽电路

fanxiaoxi 2024-06-25

一、推挽的概念在电路中，推挽（Push-Pull）是指使用两个输出器件（例如晶体管或MOSFET）交替地将信号推到正和负极性，以便将信号放大并推到一个负载上。推挽输出电路通常用于驱动负载电流较大的应用，例如音频放大器或电......

三极管 MOSFET 驱动器 晶体管 推挽电路

MOS开关管的选择及原理应用

fanxiaoxi 2024-06-25

一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要......

MOSFET MOS管 晶体管 开关管 PMOS

场效应管和二极管防反接电路设计

fanxiaoxi 2024-06-25

场效应管防反接电路其功能和二极管防反接电路一样，其目的都是防止电源的正负输入端接反而导致负载电路烧毁等意外情况发生。场效应管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是......

二极管 场效应管 电路设计 防反接电路
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