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参考设计

首页->场效应管(MOSFET)检测方法与经验

由MOSFET组成的简易27MHz的FM、AM发射电路

jobs 2012-07-25

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MOSFET 发射电路

2・19 由NE555等构戎的泛辑电平与MOSFET接口电路

dolphin 2012-07-24

　　图2-19是由NE555等构成的逻辑电平与MOSFET接口电路。电路申，NE555是振荡频率为70KHz的无稳态多谐振荡器，用复位脚(4脚)的控制输入信号对其振荡状态进行通/断控制。4脚输入高电平时振荡器产生振荡，低......

NE555 构戎 泛辑 电平 MOSFET 接口

MOSFET继电器切换电路图解

dolphin 2012-07-24

　　MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。能以极低的（几乎为零）的电能控制大功率负荷的通断，接合光电耦合器和适当的MOSFET组合可达到隔离、双向导通的控制效果，等效于继电器，在开关速度以及耐压、抗震方......

MOSFET 继电器 切换 图解

高边MOSFET驱动器

dolphin 2012-07-24

一个凌特科技的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。......

高边 MOSFET 驱动器

简易V-MOSFET调光灯电路图

dolphin 2012-07-24

　　简易V-MOSFET调光灯电路如图所示，它是利用V-MOS场效应管输入阻抗极高的特点，通过调节V-MOS管栅极偏压，以控制流过灯泡的电流，从而达到改变灯泡发光亮度的目的。E功率要求不大于60W. 　　......

简易 V-MOSFET 调光 电路图

由场效应管组成的日光灯驱动电路

jobs 2012-07-24

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场效应管 日光灯

由场效应管组成的电动机正、反转控制电路

jobs 2012-07-24

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场效应管 电动机

MOSFET A类放大电路及其关键参数

dolphin 2012-07-23

　　其关键参数：C1=1μF、35V，C2=470μF、35V，C3=0.1μF、35V，R1=4.7KΩ，R2=100KΩ，R3=220KΩ，R4=20Ω，R5=1KΩ，Rg=220Ω，Rp=10Kdp。......

MOSFET 放大 及其 关键 参数

MOSFET栅陷测试振荡器

dolphin 2012-07-23

接地的外流科尔皮兹振荡器的输出使用美国无线电公司的N通道双栅场效应管，Q1是由CR1检测的，被Q2放大，可用来驱动振荡器。振荡频率是由C1，C2，C3和L1决定的，当L1减小时，频率可达到250MHz。表格给出了9个频率......

MOSFET 栅陷 测试 振荡器

采用MOSFET的晶体控制频率转换器

dolphin 2012-07-23

MOSFET的第二个门可以被用来把一个晶体振荡器并入到一个与混频器一样的状态。尽管是老式的电子管，这个设计图在双门MOSFET电路中是很少见到的。L3，C3和XI形成晶体振荡器，T2是一个IF输出变压器。T1和C1被调谐......

采用 MOSFET 晶体 控制 频率 转换器
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