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Q1和Q2的工作如同一只发射极耦合振荡器。当Q3截止时，二极管D为反向偏置，Q3为饱和。当Q1导通时，Q3的基集电流流入Q3的集电极。由于二极管D2将Q2的集电极箝位至-0.7伏左右，所以Q2不能充分饱和。 ......
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绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor-IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor-GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好......
电路如图2-8所示。该电路是采用发射极输出的串调电源。电阻R4和可选电阻R5~R11组成分压取样电路，其分压值加到比较放大管VT2的基极端，与稳压二极管VD7进行比较后，其集电极电流去控制调整管VT1的基极电流，......
故障电流的降低通过降低或限制高额故障电流，特别足在短路和低阻抗的对地短路情况下，功率模块可以获得更好的保护。 如图l中所示的那样，在短路Ⅱ情形下，高dvCE/dt引起栅极――发射极电压上升，进而产生一个动态的短路过......
饱和输出发射极耦合自激多谐振荡器电路图......
组合管发射极输出去提供高隔离度电路图......
改进型发射极输出器无漂移电路图......
发射极输出器传输匹配电路图......
发射极调幅电路图 ......
dolphin 2012-07-23
dolphin 2012-07-19
dolphin 2012-07-19
dolphin 2012-07-19
