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在功率逆变器系统架构和配置,需要用到MOSFET 和高侧/低侧栅极驱动器,并且要评估将所有这些部分集成到一个健壮的系统中并有效地实施它需要彻底了解系统的损失机制,以及如何平衡权衡。在这篇文章中,我将讨论 48V 系统中的......
在本文中,我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上,这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......