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晶体管与继电器等构成的过压保护电路1:晶体管与继电器等构成的过压保护电路2:晶体管等构成的过压保护电路:熔断丝与可控硅构成的过压保护电路采用TIA31精密基准源等构成的过压保护电路:利用过压产生过热的原理进行过压保护的电......
1 线路中励磁涌流问题 1.1 线路中励磁涌流对继电保护装置的影响 励磁涌流是由于变压器空载投运时，铁芯中的磁通不能突变，出现非周期分量磁通，使变压器铁芯饱和，励磁电流急剧增大而产生的。变压器励磁涌流最大值，可以达到......
1 引言 随着半导体元件制造工艺的完善和制造技术的提高，半导体功率元件正朝着大电流、高电压、快通断、功耗小、易保护、模块化方向发展，现已出现了双极性晶体管GTR、功率场效应管MOSFET、功率绝缘栅控双极性晶体管IGBT......
1问题的提出 在智能仪表及过程控制中常常要用掉电保护电路以长时间保存实时参数。通常可采用E2PROM、FLASH MEMORY以及以随机存储器为基础内置电池的非易失性芯片来实现。E2PROM、FLASH MEMORY属于......
通常，在数字钟、打铃仪、某些定时器和日历钟等类型的单片机系统中，当主电源 DC5V失去时，我们称之为掉电。掉电之后，单片机会停止工作，时钟会停止往前走，这种结果在许多场合往往是不希望的，为了保证单片机在主电压失去时仍然能......
包含过载保护的正转控制电路原理图 ......
该功率放大器是采用一种集成功放IC与线性运放IC制作的功放性能指标，而且具有完善的保护功能，很适合音响爱好都自己制作。 电路原理： ......
Xysemi（赛芯微电子）在经过多年的研发，开发出XB430X系列产品(XB4301、XB4251A)，解决了当前锂电池保护方案的难题。SIP是IC市场的发展趋势，锂电池保护方案也不例外，但锂电池保护IC与MOS器件制程......
IGBT绝缘栅极过压原因及过压保护电路 IGBT的栅极过压的原因 1.静电聚积在栅极电容上引起过压。 2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十......
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路 IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示 ......
dolphin 2011-05-11
dolphin 2011-05-05
dolphin 2011-05-05
dolphin 2011-05-04
dolphin 2011-05-04
