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介绍晶体三极管的出现具有划时代的意义,它使电子电路从电子管时代一下子跃进了“矿石”时代,大大推进了电子设备体积的缩小以及性能的提高,更进一步出现了集成芯片。以及今天的奔腾处理器这样高集成度的半导体......
晶体管型号资 料反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型MJ10012 400V10A175W**NPN(达林顿)MJ10015 400V50A200W**NPNMJ10016 500V50A200W**......
器件的伏安特性是指器件的电压一电流转移关系。 BJT 的伏安特性主要用来定性说明晶体管各极电流与电压的关系,最常用的特性分为输入特性和输出特性两种。这里介绍应用最广泛的共发射极接法的输出、输入特性曲线。 BJT 的CE接......
BJT 的参数是表明 BJT 性能的数据以及描述 BJT 安全使用范围的物理量,是正确、可靠使用 BJT 的基础。这里介绍几个常用、设计时必须了解的参数: [ l ]共发射极电流放大系数B它分为两种:直流Bd=Ic/Ib......
在实际电路中, BJT 以其不同的接法适用于不同的场合;前述的 CE 接法有较高的放大倍数以及适中的输入、输出阻抗,常用于主放大电路;除此之外,还有适用于高频电路的 CB 接法,适用于阻抗变换以及级间隔离的 CC 电路,......
BJT 的 H 参数模型主要用于 BJT 的中频电路计算,是几种参数中,精度适中,相对方便的一种模型,下面介绍四个 H 参数的意义: 图 1 . 9 等效 H 参数模型 图 1 . 9 中,对于工作频率尚未达到晶体管的......
复合 BJT 的组态在实际使用中,有时为了获得更高的等效电流放大系数或获得合适的极型等目的,可以将 PNP 、 NPN 管复合 使用: 上面的四种组合是最简单的常用组合,其最大特点就是等效 hfe=hfel*hfeZ......
在功率放大器中,晶体管因 BC 结反向电压可观,本身要消耗一部分直流功率,称为管子的热管耗。若管耗超过它的散热能力,其结温就免不了要升高。结温生高会引起集电极电流增加,进一步使结温增加,形成恶性循环。结温升高到极限值之外......
2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz ......
2SD1270 SI-N 130V 5A 2W 30MHz | 2SD1271 SI-N 130V 7A 40W 30MHz2SD1272 SI-N 200V 1A 40W 25MHz |......