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光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。 1．光控晶闸管的结构 通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它......
逆导晶闸管(RCT) 逆导晶闸管RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路......
一、可控硅的概念和结构？ 晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，......
IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断......
可控硅串联逆变器与并联逆变器相比，具有更多的优点： 1、串联逆变电路流经感应器中的电流IL接近有功电流，因此Il很小，由Il在感应器电阻中造成的电损耗很小，经理论计算及实验检测，感应炉的电效率可达97%之高，串联逆变器感......
并联逆变电路的负载是一个谐振回路，它的谐振频率基本上就是中频电源的工作品频率。其工作过程分四个阶段。 1. 如果先触发晶闸管T1,T3,则电流Id从P端经T1到负载，在经T3流向N端，这个阶段为中频交流电的正半周，此时补......
一.参数说明1.参数表中所给出的数据，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值, Qr、VTM、VTO、rT指元件可满足(不超过)的最大值。2.通态平均电流额定值ITAV(IFAV)ITAV(I......
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩......
整流晶闸管阻容吸收元件的选择 电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负......
在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低......
dolphin 2012-10-31
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