CMOS门压控振荡器
如图所示电路中A1、A2两个非门组成自激多谐振荡器,随着外加控制电压Vcc的大小不同,电路振荡频率亦随之变化。Vcc值在门电路阈值附近时对RC充放电影响最小,故电路振荡频率最低,Vcc偏离门电路阈值越大,电容充放电越快,故电路振荡频率越耐。
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如图所示电路中A1、A2两个非门组成自激多谐振荡器,随着外加控制电压Vcc的大小不同,电路振荡频率亦随之变化。Vcc值在门电路阈值附近时对RC充放电影响最小,故电路振荡频率最低,Vcc偏离门电路阈值越大,电容充放电越快,故电路振荡频率越耐。
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