由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器
如图所示为由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器。电容C以相同的速率充、放电,占空比为50%,振荡周期T=RC。图(a)的R可由图来代替,以得到其它所需的占空比,此时Cl通过Rl充电并由R2放电,振荡周期T=(R1 R2)C/2,占空比近似为Rl/(R1 R2)。图9―11中VDl、VD2、VD3为1N4148。
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如图所示为由74HCT221构成的占空比可变的单稳态多谐振荡器。电容C以相同的速率充、放电,占空比为50%,振荡周期T=RC。图(a)的R可由图来代替,以得到其它所需的占空比,此时Cl通过Rl充电并由R2放电,振荡周期T=(R1 R2)C/2,占空比近似为Rl/(R1 R2)。图9―11中VDl、VD2、VD3为1N4148。
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