LM386中文资料

lm386简介：LM386

是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。

图1. 内部电路图

图2 引脚功能图

极限参数：
电源电压
（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V
电源电压（LM386N-4）22V
封装耗散
（LM386N）1.25W
（LM386M）0.73W
（LM386MM-1）0.595W
输入电压±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度0℃至+70℃
结温+150℃

焊接信息
焊接（10秒）260℃
小外形封装（SOIC和MSOP）
气相（60秒）215℃
红外（15秒）220℃

热电阻
qJC （DIP）37℃/W
qJA （DIP）107℃/W
qJC （SO封装）35℃/W
qJA （SO封装）172℃/W
qJA （MSOP封装）210℃/W
qJC （MSOP封装）56℃/W

表1. LM386电气特性

Parameter 参数测试条件最小 典型 最大 单位 Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压　 - -LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1 4 -12VLM386N-45 -18VQuiescent Current (IQ) 静态电流 VS = 6V, VIN =0 48mAOutput Power (POUT) 输出功率-

-

LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1VS = 6V, RL =8W, THD = 10%250325

-

mWLM386N-3VS = 9V, RL =8W, THD = 10%500700- mWLM386N-4VS=16V, RL =32W, THD = 10%7001000- mWVoltage Gain (AV) 电压增益VS = 6V, f = 1 kHz 26- dB10 μF from Pin 1 to 8 46- dBBandwidth (BW) 宽带VS = 6V, Pins 1 and 8 Open 300- kHzTotal Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open- 0.2- %Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output- 50- dBInput Resistance (RIN) 输入电阻-- 50- kΩInput Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流VS = 6V, Pins 2 and 3 Open- 250- nA

图3的应用电路为增益20的情形，于pin 1及pin 8间加一个10mF的电容即可使增益变成200，如图4所示。图中10kW的可变电阻是用来调整扬声器音量大小，若直接将Vin输入即为最音量最大的状态。

图3功放电路工作原理 图4

图5 调幅收音机功率放大器

图6LM386N-1 LM386N-3 LM386N-4 封装图片

图7LM386MM-1 封装图片