全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图
加入技术交流群
下面是 [全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图]的电路图
全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图
1前言
飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T，是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门设计的高压IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件，即可组成高强度放电（HID）灯电子镇流器电路，并且为HID灯驱动电路的设计提供了解决方案。
2封装、内部结构及引脚功能
UBA2030T采用24脚SO封装，顶视图如图1所示。
UBA2030T芯片集成了自举二极管、振荡器、高压和低压电平移相器、高端（左、右）和低端（左、右）驱动器及控制逻辑等电路，其内部结构框图如图2所示。
表1列出了UBA2030T的引脚功能。
2主要参数及特点
2.1主要参数
UBA2030T的主要参数及参考数据如表2所列。
2.2主要特点
图1SO24封装顶视图
UBA2030T的主要特点如下：
内置自举二极管，用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度；
高压输入直达570V，为驱动内部电路和全桥
图2UBA2030T的内部结构框图
表1引脚功能
| 脚号 | 符号 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | GLR | 低端右边MOSFET的栅极驱动器输出 |
| 2 | PGND | 低端左、右MOSFET的源极功率地 |
| 3 | GLL | 低端左边MOSFET的栅极驱动器输出 |
| 4,6,9,16,17,19 | n.c. | 不连接 |
| 5 | RC | 内部振荡器RC输入 |
| 7 | BE | 控制输入使能 |
| 8 | BER | 桥路参考输入使能 |
| 10 | FSL | 浮置电源电压左边输出 |
| 11 | GHL | 高端左边MOSFET栅极驱动器输出 |
| 12 | SHL | 高端左边MOSFET源极 |
| 13 | SHR | 高端右边MOSFET源极 |
| 14 | GHR | 高端右边MOSFET栅极驱动器输出 |
| 15 | FSR | 浮置电源电压右边输出 |
| 18 | HV | 高压电源输入 |
| 20 | EXO | 外部振荡器输入 |
| 21 | SD | 关闭输入 |
| 22 | DTC | 死区时间控制输入 |
| 23 | VDD | 内部（低压）电源 |
| 24 | SGND | 信号地 |
表2主要参数及参考数据
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 高压 | ||||||
| VHV | 高压电源（电压） | 0 | － | 570 | V | |
| 启动（经脚HV施加） | ||||||
| Istrtu | 启动电流 | － | 0.7 | 1.0 | mA | |
| Vth(osc,strt) | 启动振荡门限电压 | 在fbridge=500Hz下，无载 | 14.0 | 15.5 | 17.0 | V |
| Vth(osc,strt) | 停止振荡门限电压 | 在fbridge=500Hz下，无载 | 11.5 | 13.0 | 14.5 | V |
| 输出驱动器 | ||||||
| Io(source) | 输出源电流 | VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V | 140 | 190 | 240 | mA |
| Io(sink) | 输出灌电流 | VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V | 200 | 260 | 320 | mA |
| 内部振荡器 | ||||||
| fbridge | 桥路振荡器频率 | EXQ脚连接到SGND | 50 | － | 50000 | Hz |
| 外部振荡器 | ||||||
| fosc(ext) | 外部振荡器频率 | RC脚连接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 | 100 | － | 100000 | Hz |
| 死区时间 | ||||||
| tdead | 死区时间控制范围（外部可调） | 0.4 | － | 4 | μs | |
| 桥路使能 | ||||||
| IIH | 高电平输入电流 | 使能激活 | 100 | － | 700 | μA |
| IIL | 低电平输入电流 | 使能堵塞 | 0 | － | 20 | μA |
| 关闭 | ||||||
| VIH | 高电平输入电压 | 关闭激活：1ΔVSD/Δt15V/ms | 4.5 | － | VDD
技术专区 | |
评论