全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图
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全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图
1前言
飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T,是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门设计的高压IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可组成高强度放电(HID)灯电子镇流器电路,并且为HID灯驱动电路的设计提供了解决方案。
2封装、内部结构及引脚功能
UBA2030T采用24脚SO封装,顶视图如图1所示。
UBA2030T芯片集成了自举二极管、振荡器、高压和低压电平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驱动器及控制逻辑等电路,其内部结构框图如图2所示。
表1列出了UBA2030T的引脚功能。
2主要参数及特点
2.1主要参数
UBA2030T的主要参数及参考数据如表2所列。
2.2主要特点

图1SO24封装顶视图
UBA2030T的主要特点如下:
内置自举二极管,用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度;
高压输入直达570V,为驱动内部电路和全桥

图2UBA2030T的内部结构框图
表1引脚功能
脚号 | 符号 | 功能描述 |
---|---|---|
1 | GLR | 低端右边MOSFET的栅极驱动器输出 |
2 | PGND | 低端左、右MOSFET的源极功率地 |
3 | GLL | 低端左边MOSFET的栅极驱动器输出 |
4,6,9,16,17,19 | n.c. | 不连接 |
5 | RC | 内部振荡器RC输入 |
7 | BE | 控制输入使能 |
8 | BER | 桥路参考输入使能 |
10 | FSL | 浮置电源电压左边输出 |
11 | GHL | 高端左边MOSFET栅极驱动器输出 |
12 | SHL | 高端左边MOSFET源极 |
13 | SHR | 高端右边MOSFET源极 |
14 | GHR | 高端右边MOSFET栅极驱动器输出 |
15 | FSR | 浮置电源电压右边输出 |
18 | HV | 高压电源输入 |
20 | EXO | 外部振荡器输入 |
21 | SD | 关闭输入 |
22 | DTC | 死区时间控制输入 |
23 | VDD | 内部(低压)电源 |
24 | SGND | 信号地 |
表2主要参数及参考数据
符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
高压 | ||||||
VHV | 高压电源(电压) | 0 | - | 570 | V | |
启动(经脚HV施加) | ||||||
Istrtu | 启动电流 | - | 0.7 | 1.0 | mA | |
Vth(osc,strt) | 启动振荡门限电压 | 在fbridge=500Hz下,无载 | 14.0 | 15.5 | 17.0 | V |
Vth(osc,strt) | 停止振荡门限电压 | 在fbridge=500Hz下,无载 | 11.5 | 13.0 | 14.5 | V |
输出驱动器 | ||||||
Io(source) | 输出源电流 | VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V | 140 | 190 | 240 | mA |
Io(sink) | 输出灌电流 | VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V | 200 | 260 | 320 | mA |
内部振荡器 | ||||||
fbridge | 桥路振荡器频率 | EXQ脚连接到SGND | 50 | - | 50000 | Hz |
外部振荡器 | ||||||
fosc(ext) | 外部振荡器频率 | RC脚连接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 | 100 | - | 100000 | Hz |
死区时间 | ||||||
tdead | 死区时间控制范围(外部可调) | 0.4 | - | 4 | μs | |
桥路使能 | ||||||
IIH | 高电平输入电流 | 使能激活 | 100 | - | 700 | μA |
IIL | 低电平输入电流 | 使能堵塞 | 0 | - | 20 | μA |
关闭 | ||||||
VIH | 高电平输入电压 | 关闭激活:1ΔVSD/Δt15V/ms | 4.5 | - | VDD
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