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电路设计->综合电路图->消费电子电路图->内置MOS降压充电芯片

内置MOS降压充电芯片

发布人:fanxiaoxi 时间:2025-01-03 收藏
多节锂电充电芯片ZCC6688
ZCC6688是一款3A锂电池充电管理芯片,可以支持单节、双节、三节、四节锂电池充电管理应用。ZCC6688采用500Khz同步降压拓扑结构,内置功率MOSFET,提升充电效率的同时,简化了外围电路结构,可以在广泛的应用在便携式手持设备。ZCC6688包含完整的充电循环,涓流、恒流、恒压和终止充电、自动再充功能,可以支持1%精度的4.2V/8.4V/12.6V/16.8V锂电池充电浮充电压。充电电流设置、浮充电压微调和电池节数选择均由简单的外部电路设置。附加功能包括:锂电池短路保护、温度保护和过压保护功能。ZCC6688采用ESOP10/QFN16封装。
特点:
输入电压范围4V~24V
最大充电率的动态输入电流分配
3.0A最大充电电流
无需外部mosfet和隔离二极管
效率高达90%
恒温恒压操作热调节
充电前和充电期间的可选电池温度监测低功率自动休眠模式
过电流保护
ESOP8中的可用消耗量
符合RoHS,100%无铅



关键词: 降压充电

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