PW2319芯片参数

一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

• VDS=-40V，ID=-5A

• RDS（开）70mΩ@VGS=-10V

• 提供3针SOT23-3封装

应用

• 电池保护

• 负荷开关

• 不间断电源

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

电气特性