数据吞吐量高达36Mb/s的NAND闪存

　生产商：意法半导体　STMicroelectronics

　产品说明：

数据吞吐量高达36Mb/s的4Gb NAND闪存芯片内嵌一个功能强大的纠错处理器,每页可以改正最多五个错误,为高度可靠性和高速数据传输提供了保证,同时还简化了存储系统的设计。

高密度NAND闪存是新兴的便携海量存储设备如USB密钥和MP3播放器的关键组件。这个市场的特点是存储容量越高越好,每位成本越低越好,这种需求正在日益提高。因每个存储单元可以存放两位或多位数据,多级单元闪存（MLC）技术在密度和成本方面比单位单元（SBC）NAND闪存技术占有明显优势,但是在数据保存和擦写循环性能方面占劣势。 因此,MLC NAND闪存通常需要更复杂的纠错码（ECC）电路,SBC和MLC NAND闪存现行的纠错方法都是通过系统处理器执行纠错算法。不过,在这些应用中,执行系统处理器功能的处理器通常没有专用的模数指令来更好地执行这些算法,结果导致闪存的吞吐量通常只有几兆字节/秒。

这款闪存芯片采用一种完全不同的解决方法：在芯片上嵌入一个复杂的纠错代码（ECC）处理器。这个专用的处理器执行高效的纠错技术BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem),BCH算法被广泛用于WLAN以及其它的需要可靠地检测纠正多个数据传输错误的应用场合。此外,嵌入式ECC处理器采用一个创新的体系结构,针对面向字节的串行读取存储应用（如MPC3播放器和USB密钥）优化了ECC的计算性能,最大限度地缩减了硅的占用面积、延迟时间和功耗。

ECC电路占芯片面积仅1.3mm2,不到芯片总面积的1%,芯片平均耗电小于1mA。纠错电路也分割成不同的功能模块,以便在检测到错误时把纠错时间压缩到最小。新产品配置两个独立的纠错模块,一个用于纠正2～5个错误,用时250µs,另一个用于纠正单一的错误,用时仅34µs。因此,嵌入式ECC是硅面积与延迟两个特性之间的一个优化折中方案。