6n137应用电路
作用:6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631是高速光电耦合器
6N137的内部结构原理如下图所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
型号:
单通道: 6N137 , HCPL2601 , HCPL2611
双通道: HCPL2630 , HCPL2631
高速10MBit / s的逻辑门光电
引脚图
原理如上图所示,若以脚2为输入,脚3接地,则真值表如附表所列,这相当于非门的传输,若希望在传输过程中不改变逻辑状态,则从脚3输入,脚2接高电平。
真值表 功能(正逻辑)
Input 输入Enable 使能Output 输出
H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H绝对最大额定值(Ta= 25 ℃除非另有说明):
Symbol 符号
Parameter 参数Value 数值
Units 单位
TSTG Storage Temperature 贮藏温度-55 to +125 ℃ TOPR Operating Temperature 操作温度-40 to +85 ℃ TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度260 for 10 sec ℃ EMITTER 发送端IF DC/Average Forward 直流/平均正向单通道50 mA Input Current 输入电流双通道(每通道)30 VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道5.5 V VR Reverse Input Voltage 反向输入电压每个通道5.0 V PI Power Dissipation 功耗单通道100 mW 双通道(每通道)45 DETECTOR 接收端VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压 7.0 V IO Output Current 输出电流单通道50 mA 双通道(每通道)50 VO Output Voltage 输出电压每个通道7.0 V PO Collector Output 集电极输出单通道85 mW Power Dissipation 功耗双通道(每通道) 60建议操作条件:
Symbol 符号
Parameter 参数 最小最大Units单位
IFL Input Current, Low Level 输入电流,低电平0 250 μA IFH Input Current, High Level 输入电流,高电平*6.3 15 mA VCC Supply Voltage, Output 供电电压,输出4.5 5.5 V VEL Enable Voltage, Low Level 使能电压,低电平0 0.8 V VEH Enable Voltage, High Level 使能电压,高电平2.0 VCC V TA 工作温度范围-40 +85 ℃ N Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载) 8电学特性(Ta=0至70 ,除非另有规定) 单独的组件特征:
Symbol 符号 Parameter 参数测试条件最小典型最大单位VFInput Forward Voltage输入正向电压IF = 10mA 1.8V TA=25℃ 1.41.75BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压IR = 10μA 5.0 V CIN Input Capacitance 输入电容VF = 0, f = 1MHz 60 pF ΔVF / ΔTA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数IF = 10mA -1.4 mV/℃ DETECTOR 接收端ICCH High Level Supply Current高电源电流VCC = 5.5V, IF = 0mA, VE = 0.5V 单通道 7 10 mA 双通道 10 15 ICCL Low Level Supply Current 低电平电源电流单通道VCC=5.5V, IF = 10mA 9 13 mA 双通道VE = 0.5V 14 21 IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流VCC = 5.5V, VE = 0.5V -0.8 -1.6 mA IEH High Level Enable Current 高电平使能电流VCC = 5.5V, VE = 2.0V -0.6 -1.6 mA VEH High Level Enable Voltage 高电平使能电压VCC = 5.5V, IF = 10mA 2.0 V VEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压VCC = 5.5V, IF = 10mA(3) 0.8 V开关特性 (TA= -40℃ to +85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明):
Symbol 符号
AC Characteristics交流特性测试条件最小典型最大单位TPHHPropagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出RL=350Ω,CL=15pF(4)(Fig.12)TA=25℃204575ns 100TPHLPropagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出TA = 25℃(5)2545 75 ns RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12) 100 |TPHLTPLH|
Pulse Width Distortion 脉宽失真(RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12) 3 35 ns tr Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 % ) RL = 350Ω, CL = 15pF(6)(Fig. 12) 50 ns tf Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 % ) RL = 350Ω, CL = 15pF(7)(Fig. 12) 12 ns tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(8)(Fig. 13) 20 ns tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(9)(Fig. 13) 20 ns |CMH| Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)TA=25℃,|VCM| =50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.)= 2.0V, RL = 350Ω(10)(Fig. 14) 6N137, HCPL2630 10,000 V/μs HCPL2601, HCPL2631 5000 10,000 |VCM| = 400V HCPL2611 10,000 15,000 V/μs |CML| Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)RL = 350Ω, IF = 7.5mA, VOL (Max.)= 0.8V, TA = 25℃(11) (Fig. 14) 6N137, HCPL2630 10,000 HCPL2601, HCPL2631 5000 10,000 |VCM| = 400V HCPL2611 10,000 15,000电气特性(续) 转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明)
Symbol 符号
DC Characteristics 直流特性测试条件 最小典型 最大 Unit 单位IOH HIGH Level Output Current 高输出电流VCC = 5.5V, VO = 5.5V, IF = 250μA, VE = 2.0V(2) 100 μA VOL LOW Level Output Current 低电平输出电流VCC = 5.5V, IF = 5mA, VE = 2.0V, ICL = 13mA(2) .35 0.6 V IFT Input Threshold Current 输入阈值电流VCC = 5.5V, VO = 0.6V, VE = 2.0V, IOL = 13mA 3 5 mA隔离特性(Ta= -40 ℃至+85 ℃ ,除非另有说明. ):
Symbol 符号
Characteristics 特性测试条件 最小 典型 最大Unit 单位
II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流相对湿度 = 45%, TA = 25℃, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12) 1.0* μA VISO Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)RH 50%, TA = 25℃, II-O ≤ 2μA, t = 1 min.(12) 2500 VRMS RI-O
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