M57962L的内部结构电路原理

　　如图所示为M57962L的内部结构方框电路。其中IGBT（绝缘姗双极晶体管）由于其可靠性高、驱动 简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高的特点，在通用变频器领域IGBT 模块已完全取代了 GTR 模块（大功率晶体管），而在各种通用变频器 中IGBT 模块的应用充分体现了当今电力电子器件的发展动向。IGBT 的技术动向是：采用沟槽结 构，减小通态压降，改善其频率特性；其次采用NPT（非穿透）技术实现IGBT 的大功率化；再就是充分满足应用需求简化逆变器驱动和保护电路设计，便于并联和安装。高压IGBT 的开发和应用有力地促进了大功率电机变频调速及牵引调速传动的发展，其正在不断扩大中压变频调速器应用范围，并使其具有高可靠性和优异的性能价格比。在我们研制的交流逆变器中，最容易损坏的部件是组成逆变桥的IGBT,IGBT的驱动与保护问题是逆变器能否可靠工作的基础和关键。