具备刷新功能的64Mb CMOS SDRAM，面向高内存带宽应用

全球专业RAM供应商Alliance Memory于2015年2月推出了一款新的64Mb同步动态随机存取存储器AS4C4M16SA。其基于CMOS工艺，内部采用配置为1M word×16bit×4 bank的流水线结构，并有54-pin TSOP II和54-ball FBGA两种封装可选。该款产品主要针对汽车、消费、通信等领域中需要高内存带宽的方案，特别是高性能的PC应用。可替代市场上大部分同类产品，完美地实现了Pin to Pin兼容。

图：基于CMOS工艺的64Mb SDRAM AS4C4M16SA

AS4C4M16SA存储器采用了脉冲数据传输模式，基于脉冲终止选项，能够提供1、2、4、8或整页的可编程读写脉冲长度；在脉冲序列结束时，还会启用自动预充电模式，可以实现自定时预充电功能。该存储器内含可编程模式寄存器，系统工作时可以自动选择相应的工作模式，使存储器的性能得以最大化。除此之外，该存储器还具有简单易用的刷新选项，包括自动刷新和自刷新功能。

AS4C4M16SA存储器的主要性能指标：

• 内存大小：64Mbit

• 结构配置：1M word*4M*16bit

• 时钟频率：166MHZ

• 响应时间：5.4ns

• 可编程模式寄存器

    - 脉冲串长度：1，2，4，8或整页

• 温度范围：-40℃~+105℃(汽车级)

• 供电电压：+3.3V 0.3V

• 封装：54-pin TSOP II和54-ball FBGA