介绍双极型晶体管参数符号及其意义

二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc――-集电极电容
Ccb――-集电极与基极间电容
Cce――-发射极接地输出电容
Ci――-输入电容
Cib――-共基极输入电容
Cie――-共发射极输入电容
Cies――-共发射极短路输入电容
Cieo――-共发射极开路输入电容
Cn――-中和电容（外电路参数）
Co――-输出电容
Cob――-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe――-共发射极输出电容
Coeo――-共发射极开路输出电容
Cre――-共发射极反馈电容
Cic――-集电结势垒电容
CL――-负载电容（外电路参数）
Cp――-并联电容（外电路参数）
BVcbo――-发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo――-基极开路，CE结击穿电压
BVebo――- 集电极开路EB结击穿电压
BVces――-基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer――-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D――-占空比
fT――-特征频率
fmax――-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE――-共发射极静态电流放大系数
hIE――-共发射极静态输入阻抗
hOE――-共发射极静态输出电导
h RE――-共发射极静态电压反馈系数
hie――-共发射极小信号短路输入阻抗
hre――-共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe――-共发射极小信号短路电压放大系数
hoe――-共发射极小信号开路输出导纳
IB――-基极直流电流或交流电流的平均值
Ic――-集电极直流电流或交流电流的平均值
IE――-发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo――-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo――-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo――-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer――-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices――-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex――-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM――-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM――-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
ICMP――-集电极最大允许脉冲电流
ISB――-二次击穿电流
IAGC――-正向自动控制电流
Pc――-集电极耗散功率
PCM――-集电极最大允许耗散功率
Pi――-输入功率
Po――-输出功率
Posc――-振荡功率
Pn――-噪声功率
Ptot――-总耗散功率
ESB――-二次击穿能量
rbb――-基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbbCc――-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie――-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe――-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE――-外接发射极电阻（外电路参数）
RB――-外接基极电阻（外电路参数）
Rc ――-外接集电极电阻（外电路参数）
RBE――-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL――-负载电阻（外电路参数）
RG――-信号源内阻
Rth――-热阻
Ta――-环境温度
Tc――-管壳温度
Ts――-结温
Tjm――-最大允许结温
Tstg――-贮存温度
td――――延迟时间
tr――-上升时间
ts――-存贮时间
tf――-下降时间
ton――-开通时间
toff――-关断时间
VCB――-集电极-基极（直流）电压
VCE――-集电极-发射极（直流）电压
VBE――-基极发射极（直流）电压
VCBO――-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO――-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO――-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER――-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES――-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX――-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp――-穿通电压。
VSB――-二次击穿电压
VBB――-基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc――-集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE――-发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)――-发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)――-发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC――-正向自动增益控制电压
Vn(p-p)――-输入端等效噪声电压峰值
V n――-噪声电压
Cj――-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv――-偏压结电容
Co――-零偏压电容
Cjo――-零偏压结电容
Cjo/Cjn――-结电容变化
Cs――-管壳电容或封装电容
Ct――-总电容
CTV――-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC――-电容温度系数
Cvn――-标称电容
IF――-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）――-正向平均电流
IFM（IM）――-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限