富士通：在RFID中嵌入FRAM，打破传统RFID标签限制

“采用FRAM 的RFID的读写次数可以达到1012，而采用EEPROM 的RFID的读写次数最多只有一百万次，这就是为何高速收费处偶尔会出现数据读不出的问题。”富士通半导体(上海)有限公司市场部高级经理蔡振宇指出：“在RFID中嵌入FRAM，能够打破传统采用EEPROM的RFID标签的一系列性能限制，解决很多应用难题。”
在RFID中嵌入FRAM，实现突破性优势
富士通半导体内嵌FRAM的RFID产品相比其单体FRAM产品是比较新的，而市场上常用的RFID产品嵌入的是EEPROM。与内嵌EEPROM的RFID产品相比，内嵌FRAM的RFID不只读写速度快很多，并且其抗辐射性比EEPROM高出不止一个数量级。下图1所示为FRAM RFID 和EEPROM RFID的性能对比。

图1：FRAM RFID vs EEPROM RFID
FRAM是一种非易失性存储器，使用铁电材料作为数据载体，结合了随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的优势。作为用在RFID中的非易失性存储器， EEPROM已经得到广泛应用，但是当数据被写入时，EEPROM需要内部升压电压，因为数据存储的原则就是要看是否带有电子电荷，所以它的写入速度较慢慢(需要数毫秒)，耐擦写次数也仅限于10万次左右。因此，大部分基于EEPROM的RFID都是小存储容量产品，只适合读，不适合写。
比较而言，FRAM RFID数据写入时间非常快。例如，以写入数据为例，采用EEPROM的RFID需要有6msec的时间来等待回应，而采用FRAM的RFID仅需要100usec。并且，FRAM在写和读方面的性能一样好，因为二者的原则一样。
FRAM的另一个主要特点，就是在防辐射方面明显优于EEPROM。例如，在医疗设备和包装、食品或者亚麻布的伽玛射线灭菌过程中，存在于 EEPROM中的数据会受到放射线的严重影响，因为它的数据存储采用的是电子电荷。而存在于FRAM中的数据在高放射水平下仍然不会受到影响。
在FRAM RFID中加入SPI串行接口，扩展应用领域
到目前为止，富士通半导体已经开发出了适合各类应用的FRAM RFID产品，覆盖了HF（高频：13.56MHz）和UHF（超高频：860至960MHz）。如下图2所示为富士通半导体FRAM RFID产品线。这些FRAM RFID可广泛应用于工业、医疗、航空等领域。

图2：富士通半导体FRAM RFID产品线
“和目前常用的EEPROM RFID相比，FRAM RFID的容量会更大。市面上比较多的RFID产品都是128b或是512b，而客户有往里面存储更多信息的需求。”蔡振宇表示：“目前我们的FRAM RFID的容量最大可以做到64KB。此外，富士通半导体还推出了带有SPI串行接口的FRAM RFID产品，这将为FRAM RFID增添新的附加价值。”
RFID起初被用作可由RFID阅读器读取的ID存储。富士通半导体将FRAM用在了RFID上，由于FRAM擦写速度快、耐擦写次数高而实现了大容量存储的数据载体标签。如今，内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
大存储数据载体的优势就是RFID可以记录可追溯数据，如制造数据、生产数据、物流数据、维护数据等，因此它可用于各种资产、产品和零部件的管理。基于这些市场需求，富士通半导体开发出了带有SPI接口的FRAM RFID产品。
这种配置的主要特点就是，对于同一个FRAM存储区来说，既可以从串行接口进入，也可以从RF接口进入。除了传感应用外，内置串行接口的RFID在理论上可以与受MCU控制的各种应用相连接。