锂电池单向或双向负载开关MOSFET AON5820
方案概述
AON5820采用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON),低栅极电荷,可在低至2.5V的栅极电压下工作,同时保持12V VGS(MAX)。ESD保护。由于共漏极的特点,该器件适合用作锂电池的一个单向或双向负载开关。
核心优势
低RDS(ON),低栅极电荷
Typical ESD protection:HBM Class 2
AON5820采用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON),低栅极电荷,可在低至2.5V的栅极电压下工作,同时保持12V VGS(MAX)。ESD保护。由于共漏极的特点,该器件适合用作锂电池的一个单向或双向负载开关。
低RDS(ON),低栅极电荷
Typical ESD protection:HBM Class 2
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