IR2110设计IGBT的电路
下面是 [IR2110设计IGBT的电路]的电路图

IR2110驱动IGBT电路如下图所示。如图(b)为IR21l0内部等效电路;如图(a)电路采用自举驱动方式,VD1为自举二极管,C1为自举电容。接通电源,VT2导通时Cy通过VDt进行充电。这种电路适用于驱动较小容量的IGBT。对于IR2110,当供电电压较低时具有使驱动器截止的保护功能。自举驱动方式支配着VT2的导通电压,因此电压较低的保护功能是其必要条件。若驱动电压较低时驱动IGBT,则IGBT就会发生热损坏。VD1选用高速而耐压大于600V的ERA38-06、ERB38-06等二极管。

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