全桥驱动器UBA2030T及其应用

UBA2030T

1前言

飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T，是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门设计的高压IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件，即可组成高强度放电（HID）灯电子镇流器电路，并且为HID灯驱动电路的设计提供了解决方案。

2封装、内部结构及引脚功能

UBA2030T采用24脚SO封装，顶视图如图1所示。

UBA2030T芯片集成了自举二极管、振荡器、高压和低压电平移相器、高端（左、右）和低端（左、右）驱动器及控制逻辑等电路，其内部结构框图如图2所示。

表1列出了UBA2030T的引脚功能。

2主要参数及特点

2.1主要参数

UBA2030T的主要参数及参考数据如表2所列。

2.2主要特点

图1SO24封装顶视图

UBA2030T的主要特点如下：

内置自举二极管，用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度；

高压输入直达570V，为驱动内部电路和全桥

图2UBA2030T的内部结构框图

表1引脚功能 脚号 符号 功能描述 1 GLR 低端右边MOSFET的栅极驱动器输出 2 PGND 低端左、右MOSFET的源极功率地 3 GLL 低端左边MOSFET的栅极驱动器输出 4,6,9,16,17,19 n.c. 不连接 5 RC 内部振荡器RC输入 7 BE 控制输入使能 8 BER 桥路参考输入使能 10 FSL 浮置电源电压左边输出 11 GHL 高端左边MOSFET栅极驱动器输出 12 SHL 高端左边MOSFET源极 13 SHR 高端右边MOSFET源极 14 GHR 高端右边MOSFET栅极驱动器输出 15 FSR 浮置电源电压右边输出 18 HV 高压电源输入 20 EXO 外部振荡器输入 21 SD 关闭输入 22 DTC 死区时间控制输入 23 VDD 内部（低压）电源 24 SGND 信号地

表2主要参数及参考数据

符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 高压 VHV 高压电源（电压） 　 0 － 570 V 启动（经脚HV施加） Istrtu 启动电流 　 － 0.7 1.0 mA Vth(osc,strt) 启动振荡门限电压 在fbridge=500Hz下，无载 14.0 15.5 17.0 V Vth(osc,strt) 停止振荡门限电压 在fbridge=500Hz下，无载 11.5 13.0 14.5 V 输出驱动器 Io(source) 输出源电流 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V 140 190 240 mA Io(sink) 输出灌电流 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V 200 260 320 mA 内部振荡器 fbridge 桥路振荡器频率 EXQ脚连接到SGND 50 － 50000 Hz 外部振荡器 fosc(ext) 外部振荡器频率 RC脚连接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 100 － 100000 Hz 死区时间 tdead 死区时间控制范围（外部可调） 　 0.4 － 4 μs 桥路使能 IIH 高电平输入电流 使能激活 100 － 700 μA IIL 低电平输入电流 使能堵塞 0 － 20 μA 关闭 VIH 高电平输入电压 关闭激活：1ΔVSD/Δt15V/ms 4.5 － VDD