DDR 存储器电源：4V 至 24VIN，1.25V/±10A VTT

本电路示出了一款采用 LTC3717 的 ±10A 设计。输入电压可在 5V 至 24V 之间变化。如果一个外部 5V 偏压可用于给 LTC3717 的 V_CC 引脚供电，则输入电压可以低于 5V。本设计仅采用了两个由 Siliconix 公司提供的 SO-8 PowerPak MOSFET，用以提供 ±10A 电流。如需实现更高的输出电流，则使用一个额定电流较高的电感器和具较低 R_DS(ON) 的 MOSFET。在 250kHz 开关频率、1.25V/10A 输出和 12V 输入条件下，本电路可实现 84% 的效率。