霍耳元件作为传感器的可控硅过流过载保护电路设计与原理分析

　　在这个电路中还有一套可控硅过热保护电路，其中ＩＣ３为一只ＴＯ－２２０方式封装的型号为６７Ｌ０７０二脚温度传感开关元件，它的动作温度为７０℃，在平时常温状态下为常闭状态。它被安装在可控硅Ｔ３的散热器上。当可控硅由于过负荷或其他原因而使功耗大大增加，一旦散热器的温度达到７０℃时，ＩＣ３将从常闭转为常开，这时Ｔ２将通过Ｒ１０触发导通，Ｄ６也导通，使ＩＣ４断电截止，同时也使可控硅Ｔ３截止。与此同时，Ｄ７也导通，发光管Ｌ３被点亮，Ｄ６导通，蜂鸣器ＢＵ工作，发出报警声音。可控硅Ｔ２也能够一直保持导通状态。最后直到关闭控制电源为止。　　使霍耳元件动作的电流大小可以通过调整两个Ｕ形磁心之间的间隔来决定，对于本电路所使用的可控硅来说，应将通过它的最大电流限制在小于这里所使用的磁心截面为两磁心之间的间隔约为左右，但由于不同磁性材料导磁率存在的差异以及霍耳元件的参数差异，具体间隔可能略有不同，实际保护电流的大小最好通过实测决定，并用胶封固在印刷板上。对两只霍耳元件安装的要求是，对正磁民截面，印字全部朝向一个方向。只有这样才能使两只霍耳元件分别检测交流电流的正负半周。　　　　为了作进一步的保护，在主电路还设有一个３２Ａ的空气开关，它的作用也是保护可控硅，同时也作为主电路的控制开关使用。　　该保护电路的不足之处是当负载及电路发生严重短路问题时，对可控硅的保护作用略显不足，因为也曾经出现过可控硅被烧短路的情况，这主要是由于在保护电路动作之后，可控硅只能在电源过零之后才能自然关断，而空气开关的分断速度也是有限的。所以在必要时应采用快熔等其他措施来进行最后的短路保护。