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N沟道MOS管的结构及工作原理 N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结......
对于LS7261/LS7262,将5脚连接到电源v铝正极,电路六个输出FET均变为源极输出。图3一】a~图3-12表示不同的电平转移电路,以适应不同的功率开关组合。图3—10适用于PNP和NPN晶体管组合电路......
N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路 N沟道IGBT,Infineon(英飞凌)公司的产品。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的最优性能价格比......
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使用N沟道绝缘栅场效应管和独立二极管检波的陷流测试振荡器电路图 ......
自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路,图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。图5.2-6 自偏压电路栅源电压为UGS=RID......
下面是 [N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路]的电路图 N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路......