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充放电型IGBT缓冲吸收电路为了使IGBT关断时的过电压能得能更有效的抑制并减小IGBT的关断损耗,通常都需给IGBT主电路设置关断缓冲吸收电路。 ......
集成电路TLP250构成的IGBT驱动器及电路IGBT模块驱动及保护技术 ......
H桥IGBT功率单元本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元,其拓扑结构如图1 所示。其中,电容C1、C2 各由四个6800 μF 电解电容并联组成,开关器件为三菱公司的半桥IGBT 模块CM300DY-24......
GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线电路 ......
igbt保护电路短路保护电路的设计:由对图1所示电路的分析,可以得到igbt短路保护电路的原理更详细请查看:新型IGBT短路保护电路的设计 ......
由综合放大电路板(ZHFD)产生的输出信号被送入SG3526,产生PWM脉冲,此信号与反馈信号进行逻辑运算后送入HL403B厚膜驱动器,当IGBT产生过流、短路故障时,借助于IGBT内部的短路、欠饱和、软关断、降栅压保护......
IGBT的保护措施,主要包括过压保护和过流保护两类。使用中,对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压,可以采用适当的缓冲回路抑制它,使器件免于损坏。 ......
在IGBT的栅极电路中,主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。 ......
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示,与GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制参数是栅源电压,而不是基极电流。 ......
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下,增加一个P+层发射极而行程pn,如图1-31所示,就构成IGBT。......