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下面是 [通过降低IGBT栅极-发射极电压来限制短路电流电路]的电路图 通过降低IGBT栅极-发射极电压来限制短路电流电路......
监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30~200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解......
IGBT绝缘栅极过压原因及过压保护电路 IGBT的栅极过压的原因 1.静电聚积在栅极电容上引起过压。 2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十......
如图是功率MOSFET隔离型栅极驱动电路。电路中,输入A和输入B的脉冲信号来自TL494或UC3852等开关电源集成控制器。T1和T2为脉冲变压器,其目的是进行高低压间隔离,同时增强抗噪声能力,使较大功率开关电路能可......
IGBT的栅极过压的原因 1.静电聚积在栅极电容上引起过压。 2.电容密勒效应引起的栅极过压。 ......
srpp电子管共栅极倒相电路如下图所示: ......
功率MOSFET的栅极驱动电路选用IR公司的6路集成IC驱动芯片IR2130。该芯片内部设计有过电流、过电压及欠电压保护,封锁和指示网络,使用户可方便地用来保护被驱动的功率MOS FET。IR2130通过内部自举技术......
Im随脉宽变化的变压器栅极驱动电路如下图所示: ......
谐振栅极驱动电路如下图所示: ......
用电流互感器二次绕组感应电压驱动MOSFET栅极的原理电路如图所示。电流首先通过MOSFET寄生二极管流通,于是,电流互感器二次绕组上产生感应电压,此电压超过门限电压时对MOSFET栅极充电,电流通过MOSFET沟道......