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在结型场效应管中,栅极和沟道间的PN结是反向偏置的,所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开,便制成了绝缘栅型场效应管,其输入电阻可提高到。......
概述 场效应晶体管:英文名称为Field Effect Transistor,缩写为FET,简称场效应管。 各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。 半导......
场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶体管的电流,因而得名。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应三极管。它只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划......
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化......
场效应管 场效应管(英缩写FET)是电压控制器件,它有输入电压来控制输出电流的变化。它具有输入阻抗高噪声低,动态范围大,温度系数低等优点,因而广泛应用于各种电子线路中。 一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘......
场效应管英文缩写:FET(Field-effect transistor),简称为场效应管,是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D。 场效应管电路符号 ......
场效应管单级放大电路原理图......
用二极管档红表笔接栅极G,黑表笔接源极S,数字表显示1,黑表笔接S不动,将红表笔移至漏极D,此时数字表应显示150-300左右的数值,将红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,此时应有60-100的数据,然后换过来,即S接黑,D......
(1)电路原理简介电路只需很少的元件就可构成广个循环光的定时控制电路,电路有MOS时基电 路7555、CMOS十进制计数器(脉冲分配器)4017以及末级VMOS功率场效应晶体营组成. 酾姚斛锕雌RP她鼬弘S&md......
场效应管具有很高的输入阻抗,可以制成高输入阻抗放大器。但是,在场效应管放大器中,输入端的分布电容和密勒效应电容对高频的影响很大。另外,随着工作频率的升高,场效应管的输人阻抗也将逐渐降低。因此,采用不加负反馈的共源极场效应......