工业控制 | 能源技术 | 汽车电子 | 通信网络 | 安防监控 | 智能电网 | 移动手持 | 无线技术 | 家用电器 | 数字广播 | 消费电子 | 应用软件 | 其他方案

电路设计->控制电路图->其他控制电路图->VMOS功率场效应晶体管光敏继电器设计

VMOS功率场效应晶体管光敏继电器设计

作者:dolphin时间:2012-07-24

VMOS功率场效应晶体管光敏继电器设计

  VMOS场效应管简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高、驱动电流小,还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大、输出功率高、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。如图所示为VMOS功率场效应晶体管光敏继电器电路图。



评论

技术专区