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场效应晶体管开关电路

作者:dolphin时间:2012-08-02

场效应晶体管开关电路

场效应晶体管(简称场效应管)有结型(J-FET)和绝缘栅型(MOS-FET)两类。

场效应管作为开关器件应用类似双极型三极管,许多场合可代替双极型三极管。然而与双极型二极管比较具有一些重要特性。

1、输入阻抗高

场效应管是电压控制器件,无论其导通或截止,输入阻抗都很高,尤其MOS-FET,几乎不取控制信号源电流。

2、双向导电特性

场效应管的漏和源有相同的结构而特性相同,只要衬底不与源相接,源和漏可互换使用,因而具有双向导电的特点,比双极三极管应用灵活。

3、漏电小

场效应管在截止时,漏源之间阻抗非常高,因而漏电非常微小,绝缘度高。

4、内阻大

场效应管导通时比双极型三极管大,这一缺点限制了它的应用范围,应用时可采用源极跟随器等措施加以克服。

5、MOS-FET易损坏

MOS-FET的栅极易被电压击穿而损坏,使用时应加保护措施。



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