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电路设计->基础电路图->功率放大电路图->正交二极体DBM电路

正交二极体DBM电路

作者:dolphin时间:2012-07-30

正交二极体DBM
二极体混频级(Diode Mixer)由於变换损失比电晶体及IC混频级还大,所以也需要较大的注入电压,但是其频率特性优越,整个宽广的频带的动作也相当稳定,因此还是有其受人欢迎的原因,而电路的结构也很简单,只需要二极体及电感器就可以了。但是制作二极体DBM的重点在於选用特性相同的4个二极体,若使用了特性不相同的二极体时,载波漏损就很大,如此便不能满足所要的特性。正交型二极体(QuadDiode)ND487C1-3R之内部有四个特性相同的萧特基壁障二极体( Schottky BarrierDiode),其封装是微碟(MicroDisk)状的,内部的二极体之接法如图13-1之DBM电路,本地振荡注入电压在2dBm以上时,损失则在6dB以下。图13-1之例子中,
T1,T2系在陶铁磁蕊(Ferrite Core)FB801-43绕上4圈而组成DBM电路,动
作范围的目标值在1~200MHz左右,使用於V/UHF时,T1,T2就要使用TV
用眼镜形磁蕊(Glasses Core),而且变更成图13-2之电路时就可以达到500MHz左右。为了增加本地振荡注入电平的余裕度,所以取+7dBm(5mW)左右,虽然比主动元件需要更大的本地振荡电平,但是提高截止点( InterceptPoint)却可以使IMD特性更佳。此外,DBM的输入、输出埠阻抗必须是50Ω,若无法取得匹配(Miss-matching),其反射波便是产生混附信号(Suprious)及绝缘(Isolation)降低的原因,因此,电路之例子中,则在输出侧加上-3dB的衰减器(Pad)电路。
电感反馈式振荡电路

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DBM电路


关键词: 电子电路图 DBM

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