MOSFET小功率功放简述
我与好友一起设计并制作一完全由增强型MOSFET推动的功放，效果不错，特向土炮兴趣者推荐。本电路结构简单，易于实现。
由于市场差异，选管参数可定为Vgs≈±1V，Vds≈±30V，Id≈2A；gfs≈15～20s，可使用N沟道K214P，P沟道J77或K246/J103，使用双电源±5～±27V均可，输出功率2.5～25W。制作要点为A点电压控制在1.8～2.3V之间，MOSFET尽量断电焊接。
我与好友一起设计并制作一完全由增强型MOSFET推动的功放，效果不错，特向土炮兴趣者推荐。本电路结构简单，易于实现。
由于市场差异，选管参数可定为Vgs≈±1V，Vds≈±30V，Id≈2A；gfs≈15～20s，可使用N沟道K214P，P沟道J77或K246/J103，使用双电源±5～±27V均可，输出功率2.5～25W。制作要点为A点电压控制在1.8～2.3V之间，MOSFET尽量断电焊接。
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