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MAX6495CMAX6499低电流过压保护电路

作者:dolphin时间:2017-08-02浏览次数:570

 MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压,在出现输入过压时,控制外部n沟道MOSFET开关,隔离输出负载。MAX6495–MAX6499可工作在较宽的+5.5V至+72V供电电压范围内。
  当监控输入低于用户设置的过压门限时,n沟道MOSFET栅极被驱动为高。集成的电荷泵电路提供一个10V栅极-源极电压,完全导通n沟道MOSFET。当输入电压超过用户设置的过压门限时,迅速拉低MOSFET的栅极,将负载与输入断开。在某些应用中,不希望将负载和输出断开。在这些情况下,保护电路可配置为电压限幅器,GATE输出齿波来限制负载电压(MAX6495/MAX6496/MAX6499)。
  MAX6496支持较低的输入电压,通过外部串联p沟道MOSFET替换外部电池反接保护二极管来降低功率损耗。MAX6496产生合适的偏置电压,确保p沟道MOSFET在正常工作时打开导通。出现抛负载情况时,栅极-源极电压被嵌箝位,电池反接时p沟道MOSFET被关断。
  MAX6497/MAX6498具有一个开漏、通用比较器,在输出低于设置门限时,可通知系统。MAX6497保持MOSFET开关闭锁,直至输入电源重新上电或者刷新/SHDN引脚为止。当VOVSET降至130mV以下时,MAX6498将会自动重启。
  这些器件采用小尺寸、热增强的型6引脚和8引脚TDFN封装,工作在-40°C至+125°C温度范围。
  关键特性
  宽输入电压范围:+5.5V至+72V
  过压保护开关控制器充许用户选择最合适的外部n沟道MOSFET
  过压时,栅极快速关断,具有100mA吸收能力
  内部电荷泵电路确保10V的栅极-源极电压,实现低RDS(ON)导通性能
  发生过压后,n沟道MOSFET闭锁(MAX6497/MAX6499)
  可调过压门限
  热关断保护
  支持串联p沟道MOSFET,实现电池反接电压保护(MAX6496)
  POK指示器(MAX6497/MAX6498)
  可调欠压门限(MAX6499)
  -40°C至+125°C工作温度范围
  小型、3mm × 3mm TDFN封装



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